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如图所示,一个足够长的U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹角a=30°,其电阻可忽略不计

答案:1  悬赏:30  手机版
解决时间 2021-01-29 00:51
  • 提问者网友:捧腹剧
  • 2021-01-28 07:19
如图所示,一个足够长的U形导体框架,其宽度L=1m,框架所在平面与水平面的夹角a=30°,其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直,匀强磁场的磁感应强度B=0.2T.今有一条形导体ab,其质量为m=0.2kg,有效电阻R=0.1Ω,跨接在U形框架上,并且能无摩擦地滑动.求:(1)分析说明导体ab由静止释放后如何运动.(2)导体ab下滑的最大速度vm.(3)在最大速度vm时,ab上释放的热功率.(g=10m/s2)



最佳答案
  • 五星知识达人网友:人间朝暮
  • 2021-01-28 08:31
(1)导体从静止开始运动后,就会产生感应电动势,
回路中就会有感应电流,感应电流使得导体受到安培力的作用.
导体受到的安培力:FA=BIL=
B2L2v
R ,
由牛顿第二定律得:mgsin30°-FA=ma,
解得:a=gsin30°-
B2L2v
mR ,
导体ab由静止释放后做加速度a逐渐减小的加速运动.当a=0时,速度v有最大值.
(2)当导体棒匀速运动时速度最大,
由平衡条件得:mgsin30°=
B2L2vm
mR ,
代入数据解得:vm=2.5m/s;
(3)在导体ab的速度达到最大值时,电阻上释放的热功率:
P=
E2
R =
B2L2
v 2
m

R ,代入数据解得:P=2.5W;
答:(1)导体ab由静止释放后,先做加速度减小的加速运动,然后做匀速直线运动.
(2)导体ab下滑的最大速度vm为2.5m/s.
(3)在最大速度vm时,ab上释放的热功率为2.5W.
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