各位，向某类晶体掺杂后，怎么计算掺杂后的理论密度

答案:3 悬赏:30 手机版

解决时间 2021-03-01 18:09

提问者网友：我是女神我骄傲
2021-02-28 20:31

最佳答案

五星知识达人网友：底特律间谍
2021-02-28 20:48

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例：Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。Si为4族元素，掺杂5族元素P，P元素电离后作为施主能级存在在半导体之中，形成N型半导体。此时Si元素为杂志提供了空穴，则半导体中载流子为电子。掺杂后引入杂质能级（轻掺杂）：P半导体的受主能级会在Ei下方，即接近价带顶。N半导体的施主能级会在Ei上方，即接近导带底。Ei为能带中线。一般来说，掺杂过后Eg（带隙）不会发生较大改变。Eg=Ec-Ev，Ec为导带底、Ev为价带顶。如果可以看态密度图的话，可以将态密度图与能带图相对应，找出能级贡献量较大的离子，如果该能级为Si提供，则可以判断为原能级，如果能级为P、B提供则为引入的杂志能级。希望能帮到你，谢谢

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1楼网友：毛毛
2021-02-28 22:34

答：非本学科题.

2楼网友：荒野風
2021-02-28 21:13

你好！答：非本学科题. 如有疑问，请追问。

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