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x射线曝光与传统的光学曝光有什么本质区别

答案:1  悬赏:30  手机版
解决时间 2021-03-20 16:25
  • 提问者网友:一抹荒凉废墟
  • 2021-03-19 23:03
x射线曝光与传统的光学曝光有什么本质区别
最佳答案
  • 五星知识达人网友:由着我着迷
  • 2021-03-20 00:32
你说的应该是光刻机里曝光吧,光刻机里的投影透镜系统由数十片光学透镜组成,光学像差已经基本消除,达到衍射受限系统的要求,拿最高端ASML光刻机来说,它的镜头一直都是卡尔蔡司提供的,高端的机器一般用到20多片的镜头来达到要求。但是受限于衍射理论,在不存在像差的情况下,光刻的分辨率(也就是芯片电路布线的宽度,比如现在的16nm,10nm制程)与曝光波长成线性正比,也就是波长越小成像的斑点越小,分辨率越高,学过艾里斑的应该都知道。传统的曝光已经是比较先进的193纳米的ArF准分子激光,为了应对未来的升级,艾斯迈尔(ASML,荷兰)研发了商用级别的极紫外EUV系列光刻机,是利用二氧化碳激光激发锡滴产生的13.5nm的软x射线,单价达数千万美元,那么理论上比193nm的光源,分辨率将提升了10倍以上,但是由于适用于x射线波段的透镜材料比较难找,所以这也是个关键问题,实际得提升并没有这么多。不过三家芯片巨头的投资并没有白费,预计2017年左右可以正式投入产线,极紫外EUV扫描投影式光刻机代表了当今世界最高精尖的生产工艺,几乎所有高端芯片将来都会由它莱生产!
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