什么是su-8光刻胶

什么是su-8光刻胶

摘要:对基于SU28 胶的UV2L IGA 技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时
间对SU28 胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少
后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少, 有一个极大值。通过优化光源波
长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90164 °正角的
300μm 厚光刻胶微结构和侧壁角度为89198 °近似垂直的500μm 厚光刻胶微结构。
SU28 胶是一种在微机电系统(MEMS)
中广泛应用的负性厚光刻胶[1 ] 。由于SU28
胶光敏性较好,同时吸收系数也较小,几百微
米厚的SU28 胶进行紫外光刻,在较短的时
间内即可达到曝光剂量的要求,而且厚胶内
的曝光剂量也比较均匀[2 ] 。因此它几乎应
用到了MEMS 的各个方面,例如作为塑性机
械结构、微模具、微流体器件的微通道结构等
等[3 - 5 ] 。
由于SU28 胶可以用紫外光进行光刻,
光刻厚度达数百微米,可部分取代L IGA 技
术中的同步辐射X 光光刻工艺,这大大降低
了L IGA 技术的成本。目前利用常规的紫外
曝光工艺,文献报道的最大高深宽比值为
18[6 ] ,而对于高深宽比圆柱结构而言,所获得
的深宽比还不超过10[5 ] 。在本实验中通过
优化工艺参数得到了深宽比为20 的微圆柱
结构。衡量高深宽比微结构有两个重要的参
数:线宽变化和倾角角度。前者关系到所做
图形的可控性和精确性,而后者则关系到其
后期作为模具的可行性。在现有对于SU28
胶的研究中,人们对于表面线宽的控制已经
达到了一定的精确度[7 ] 。但是对于高深宽比
的SU28 胶来说,由于其胶厚很厚(100μm～
1 200μm) ,底部和顶部的感光量必定有差
值,要保证表面线宽变化很小,往往会造成底
部由于曝光不足而出现倒角现象( T2top) 。
尤其在300 μm 以上的胶厚中,这种现象更
为明显,而且这给之后将其作为模具以及电
镀金属模具之后的脱模带来困难。现在已经
有了一些消除倒角的方法,如灰度曝光、多次
倾斜曝光、背面曝光、用长波长光源以及减少
PGA浓度[8 - 10] 。但是这些方法都有其局限性
和缺点,如成本太高、应用受结构限制、无法进
行后续的电铸工艺、曝光时间太长等。
本文通过对工艺参数的研究,发现微结
构线宽变化并不是通常所认为的线性变化,
因此希望通过工艺参数之间的优化组合,调
节顶部和底部的线宽大小,在保证表面线宽
变化很小的前提下,得到一个垂直或正角的
SU28 胶构型,以解决其作为模具的困难,简
化和方便后续工艺。

LZ是否还需要一些这方面的实验资料！我可以发给你！！！需要的话给个邮箱地址给我，我发给你

呵呵

如以上回答内容为低俗、色情、不良、暴力、侵权、涉及违法等信息，可以点下面链接进行举报！

点此我要举报以上问答信息