欧阳俊的主要学术成果
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- 提问者网友：溺爱和你
- 2021-03-25 10:57
欧阳俊的主要学术成果
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- 五星知识达人网友：污到你湿
- 2021-03-25 11:16
在薄膜功能材料的物理性能方面作出了开拓性质的工作，第一次定量计算并用实验证明了铁电
外延薄膜材料压电性能对其生长取向的依赖性，并预测了常用的不同铁电材料系统的有效压电系数，
指出怎样通过优化取向获得优异的本征 (Intrinsic) 或非本征（extrinsic) 压电性能。使用的模型
及实验方法适用于优化设计其他功能薄膜材料的物理性能，如非铁电压电薄膜（石英等）的压电性，铁
磁薄膜的磁致伸缩性，多铁性薄膜或多层材料的电磁耦合性等。 铁电畴研究：铁电畴的结晶学与热力学，定性及定量测量 (Piezoelectric force microscopy,
X-ray,etc），纳米尺度铁电畴形貌及动力学，畴对铁电体（尤其是铁电薄膜）物理性能的影响，包括介电，铁电，压电及机械性能。
多相多畴薄膜功能材料（包括铁电，铁磁，铁弹等铁性或多铁性材料）的热力学，及通过应变工
程/弹性束缚工程方法（Strain/Constraint Engineering）以获得优化的薄膜结构与性能。
工业用先进电子材料（介电材料/压电材料/碳基材料）的研究与开发，高离子化溅射技术。
代表性学术论文：
（1） Jun Ouyang,et al. “Engineering Self-Assembled Domain Architecture with Ultra
-high Piezoelectric Response in Epitaxial Ferroelectric Films”，Advanced Functional
Materials,17 （13）,2094 （2007）.
（2）Jun Ouyang,and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectric coefficients
of an epitaxial ferroelectric film”，Acta Materialia,54,531 （2006）.
（3）Jun Ouyang,R. Ramesh and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectric
coefficient e31,ffor ferroelectric thin films ”.Appl. Phys. Lett.,86,152901
（2005）.
（4）Jun Ouyang,S. Y. Yang,L. Chen,R. Ramesh,and A. L. Roytburd，“Orientation
dependence of the conversepiezoelectric constants for epitaxial single domain
ferroelectric films”.Appl. Phys.Lett.,85,278 （2004）.
外延薄膜材料压电性能对其生长取向的依赖性，并预测了常用的不同铁电材料系统的有效压电系数，
指出怎样通过优化取向获得优异的本征 (Intrinsic) 或非本征（extrinsic) 压电性能。使用的模型
及实验方法适用于优化设计其他功能薄膜材料的物理性能，如非铁电压电薄膜（石英等）的压电性，铁
磁薄膜的磁致伸缩性，多铁性薄膜或多层材料的电磁耦合性等。 铁电畴研究：铁电畴的结晶学与热力学，定性及定量测量 (Piezoelectric force microscopy,
X-ray,etc），纳米尺度铁电畴形貌及动力学，畴对铁电体（尤其是铁电薄膜）物理性能的影响，包括介电，铁电，压电及机械性能。
多相多畴薄膜功能材料（包括铁电，铁磁，铁弹等铁性或多铁性材料）的热力学，及通过应变工
程/弹性束缚工程方法（Strain/Constraint Engineering）以获得优化的薄膜结构与性能。
工业用先进电子材料（介电材料/压电材料/碳基材料）的研究与开发，高离子化溅射技术。
代表性学术论文：
（1） Jun Ouyang,et al. “Engineering Self-Assembled Domain Architecture with Ultra
-high Piezoelectric Response in Epitaxial Ferroelectric Films”，Advanced Functional
Materials,17 （13）,2094 （2007）.
（2）Jun Ouyang,and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectric coefficients
of an epitaxial ferroelectric film”，Acta Materialia,54,531 （2006）.
（3）Jun Ouyang,R. Ramesh and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectric
coefficient e31,ffor ferroelectric thin films ”.Appl. Phys. Lett.,86,152901
（2005）.
（4）Jun Ouyang,S. Y. Yang,L. Chen,R. Ramesh,and A. L. Roytburd，“Orientation
dependence of the conversepiezoelectric constants for epitaxial single domain
ferroelectric films”.Appl. Phys.Lett.,85,278 （2004）.
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