ARM调试和Flash调试的区别

ARM调试和Flash调试的区别

首先说说什么是Flash调试和RAM调试，Flash调试就是通常意义下的普通调试，即将编译链接之后的code下载到单片机的ROM区，数据放到RAM区，然后进行调试；而RAM调试则是将数据放到RAM区的同时再从RAM区中额外开辟出一段空间存放可执行code，这样就是code和数据同时运行在RAM区里面。
至于为什么要刻意区分出这两种调试方式，其实在低端MCU领域是没有RAM调试这个概念的，其中很大一部分原因是它没有足够大的RAM空间在存放编译后code代码的同时仍然可以拿出额外的空间作为数据RAM的，而在高端MCU领域中，比如ARM，动辄几十KB的RAM是很常见的，在不运行超大工程的情况下是完全可以拿出一部分空间运行代码的，所以也就出现了RAM调试这种方法了。
相比于Flash调试，RAM调试则与生俱来的带来两个最大的先天优势，一个是RAM的可擦写的次数理论上是无限的，在调试代码的期间我们往往是需要不断下载更新的，而Flash的擦写次数是有限的（一般几万次、几十万次不等，虽然看起来足够多，但是也心疼的慌），因此在调试期间我们可以选择RAM调试；另一个方面，则更是RAM调试的强项（Flash真够悲催的），在RAM区的代码执行速率和效率远高于需要不断地读写Flash区代码的，这点毋庸置疑，所以在当今智能手机比拼硬件的时代，我们选择一款强大的CPU是应该的，但是要想让系统运行的更流畅，足够大的机载RAM是必须的，呵呵。当然RAM调试的缺点是掉电丢失，在RAM区运行的代码在掉电的情况下是不会被保存的，下次上电单片机仍然会执行Flash区内部的老的代码，这点是需要注意的，很多人忘记考虑这点，在RAM调试功能完毕，等拿到现场单片机独立运行的时候却发现程序是不对的

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