LED静电击穿与反向击穿

LED静电击穿与反向击穿

LED被静电击穿是指LED晶片两个电极层之间由于外界电荷转移，导致两层之间形成一个电压，当电压没有超过LED晶片电极层的承受时，不会发生击穿现象，但一但电荷继续累加，达到其最高承受点时，电荷会在极短的时间内形成放电，导致在电极层见瞬间烧熔一个孔，从而会出现漏电；

静电强度以及放电时间不同其杀伤力也大不相同，刚好是临界点的，一般是电极附近形成一些极小的放电孔，出现几十微安到几百微安的反向漏电，强度大放电时间快的则直接烧接近短路，或者十几到几十欧姆的电阻；

被静电击穿的其光电参数一定发生，最必然的是其反向漏电流一定出现；

不同企业的LED采用不同的发光晶片，其抗静电高低也大不相同，这正是其重要可靠度的体现，目前市场上更是不少鱼目混珠的LED产品；用户选择时一定要注意；

静电击穿有正向击穿和反向击穿，但就LED而言，通常正向的抗静电能力稍强于反向；

反向击穿，如果是一个恒定的高电压击穿的话，通常是大电流将晶片烧开路为止，这与静电击穿有所分别··

更多静电击穿以及想了解LED抗静电测试仪器的话，可随时致电我135-3981-7084刘工（台湾焯钺半导体静电测试仪专业客服工程师）

反向漏电电流！要专门仪器来测 比较精密2011/8/6 6:08:15

由于静电电压相当高，所以很容易致使LED击穿（芯片烧毁），当然当静电电压超过反向击穿电压时，也可能使其被击穿，所以静电击穿应该包括正向和反向击穿

LED静电击穿
是因静电电压超出LED芯片承受指标后，瞬间（nS）将两个电极层之间的某个小小的区域内产生放电，瞬间形成一个高温，将两个电极层间形成一个小小（比电极还要小几倍到几十倍吧）的‘坑’这个坑让两个电极层间有了一个电流回路，视静电强弱和放电速度不同，‘坑’大小也不同，从而LED的静电击穿的漏电也有所不同！轻微击穿的小‘坑’漏电为几微安，大的是毫安级别了；未被静电击伤的LED漏电流式是非常小的，几乎是0微安
LED反向击穿
通常是一个恒定的直流电压，电流大（安级别了吧）反向加到LED上，一旦LED承受了，也会将LED内部少穿，因为施加的这个电压是持续的，那么LED被烧穿后，很快就烧开路了··
上述解答，希望帮到大家了解LED静电，重视LED抗静电！
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台湾焯钺半导体静放电仪器售服工程师
广东卓越仪器有限公司 | 刘工
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