mosfet与igbt区别
答案:2 悬赏:30 手机版
解决时间 2021-12-03 16:12
- 提问者网友：杀手的诗
- 2021-12-03 05:17
mosfet与igbt区别
最佳答案
- 五星知识达人网友：逐風
- 2021-12-03 05:25
从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右；
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- 1楼网友：夜风逐马
- 2021-12-03 06:13
IGBT是MOSFET与GTR的复合管
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