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三极管的输入特性随集电极和发射级电压的关系为什么输入特性曲线随Vce的增大而右移.

答案:2  悬赏:10  手机版
解决时间 2021-02-22 16:14
  • 提问者网友:一抹荒凉废墟
  • 2021-02-21 20:07
三极管的输入特性随集电极和发射级电压的关系为什么输入特性曲线随Vce的增大而右移.
最佳答案
  • 五星知识达人网友:患得患失的劫
  • 2021-02-21 21:00
1’ 三极管输入特性曲线 三极管的输入特性随集电极和发射级电压的关系为什么输入特性曲线随Vce的增大而右移.(图1)答案网 www.Zqnf.com 答案网 www.Zqnf.com 共射极连接,基极电流IB与输入电压VBE的关系曲线类似PN结的正向特性.当VCE=0时,相当于发射结和集电结两个正向PN结并联;当VCE增大时,集电结反偏电压增高,导致基区宽变效应,使有效基区宽度减小,基区的复合电流减小,因此IB减小.2' 基区宽变效应基区宽度调变效应(Early效应),简称基区宽变效应.三极管工作在放大区时,集电结反偏,若反偏电压升高,则空间电荷区变宽,这意味着有效基区宽度变窄,同样地,反偏电压降低时基区宽度变宽.有效基区宽度的变化会导致电流增益的增大或减小,即电流增益随着外加电压的改变而改变,降低了放大性能的线性度,致使信号失真.
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  • 1楼网友:撞了怀
  • 2021-02-21 21:12
谢谢了
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