二极管国产和进口芯片的区别?
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解决时间 2021-03-26 14:20
- 提问者网友：無理詩人
- 2021-03-26 03:09
二极管国产和进口芯片的区别?
最佳答案
- 五星知识达人网友：舊物识亽
- 2021-03-26 04:32
国内的芯片领域将近90%的产品依靠进口，随着信息技术和IT产业的飞速发展，芯片，已经被誉为一个国家的“工业粮草”，芯片技术也从某种程度代表了一个国家信息技术的水平。
芯片的IC设计方面绝大部分是将大量的微型电子元器件集成在一块塑基上，这些大量的电子元器件可能包括了诸如晶体管、电阻、电容、二极管等等。
国内大量依赖进口集成电路很大一部分原因是中国企业在高端的IC设计上的滞后。由于我国芯片产业起步较晚，技术的劣势比较明显，生产的芯片比较粗糙，质量无法保证。
芯片产业入门的门槛较高，企业需要投入的资金量就很大，但是由于回报速度不快，因而导致了很多芯片企业由于资金缘故半途而废。因此，就会有很多国内芯片企业通过购买国外的知识产权来加快产品的投资回报率，这也从另一方面加剧了我们对国外芯片技术的依赖程度。
决定二极管性能主要是芯片的材料优良、工艺先进、制造环境优良、自动化程度高等。这些，我国的企业起步晚，捷径多总体差于发达国家。
发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。
芯片的IC设计方面绝大部分是将大量的微型电子元器件集成在一块塑基上，这些大量的电子元器件可能包括了诸如晶体管、电阻、电容、二极管等等。
国内大量依赖进口集成电路很大一部分原因是中国企业在高端的IC设计上的滞后。由于我国芯片产业起步较晚，技术的劣势比较明显，生产的芯片比较粗糙，质量无法保证。
芯片产业入门的门槛较高，企业需要投入的资金量就很大，但是由于回报速度不快，因而导致了很多芯片企业由于资金缘故半途而废。因此，就会有很多国内芯片企业通过购买国外的知识产权来加快产品的投资回报率，这也从另一方面加剧了我们对国外芯片技术的依赖程度。
决定二极管性能主要是芯片的材料优良、工艺先进、制造环境优良、自动化程度高等。这些，我国的企业起步晚，捷径多总体差于发达国家。
发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。
全部回答
- 1楼网友：詩光轨車
- 2021-03-26 08:20
很专业，期待高手解答了
- 2楼网友：动情书生
- 2021-03-26 06:50
1、决定二极管性能主要是芯片的材料优良、工艺先进、制造环境优良、自动化程度高等。这些，我国的企业起步晚，捷径多总体差于发达国家。
2、发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
3、不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。例如，太阳能硅材料、光电池等，大陆的总产量、质量、连台湾也赶不上，CCTV曾多次评述过这些问题如视频节目：《我国光伏产业的尴尬》。
2、发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
3、不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。例如，太阳能硅材料、光电池等，大陆的总产量、质量、连台湾也赶不上，CCTV曾多次评述过这些问题如视频节目：《我国光伏产业的尴尬》。
- 3楼网友：梦中风几里
- 2021-03-26 06:39
进口与国产的芯片,只要差别与可信赖性 凸显的重点是 日本1N4148 芯片较大 0.32M/M-0.30M/M 且有能力 有设备 直接测试与保证出TRR读值 ,大陆的TRR值 只能是插图斜率
比较推算出TRR
芯片大功率 功率就会大 可信赖性较好 接面电容也较大
国产芯片其实并不差 但是心态上急功近利 专注极限性的偷工减料 竞价抢订单
至於产品可以使用多久 ? 可信赖性如何 ? 都不是考虑最重点 和国外刚好完全相反
国外用好质量 争取好价格 好信誉 口碑
比较推算出TRR
芯片大功率 功率就会大 可信赖性较好 接面电容也较大
国产芯片其实并不差 但是心态上急功近利 专注极限性的偷工减料 竞价抢订单
至於产品可以使用多久 ? 可信赖性如何 ? 都不是考虑最重点 和国外刚好完全相反
国外用好质量 争取好价格 好信誉 口碑
- 4楼网友：风格不统一
- 2021-03-26 05:50
二极管分好多种 功效也尽不相同 参数大体如下
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
相对来说进口期间选用的材料杂质较少 工艺上相对较国产小作坊要好，其实并不是国内没有这个能力和技术，实在是因为国内价格战的大环境使然，尤其是关键指标和稳定性国产因为价格的缘故成本上做不到，这就是国产的悲哀
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
相对来说进口期间选用的材料杂质较少 工艺上相对较国产小作坊要好，其实并不是国内没有这个能力和技术，实在是因为国内价格战的大环境使然，尤其是关键指标和稳定性国产因为价格的缘故成本上做不到，这就是国产的悲哀
参考资料：从业经验 指标来源网络
- 5楼网友：孤老序
- 2021-03-26 05:19
1、决定二极管性能主要是芯片的材料优良、工艺先进、制造环境优良、自动化程度高等。这些，我国的企业起步晚，捷径多总体差于发达国家。
2、发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
3、不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。例如，太阳能硅材料、光电池等，大陆的总产量、质量、连台湾也赶不上，CCTV曾多次评述过这些问题如视频节目：《我国光伏产业的尴尬》。
2、发达国家的芯片知明企业，为了保持产品质量的信誉，把“不合格的产品一律销毁”，从来不谝人。这一点与我国的企业“挖空心思将不合格品拿来愚弄老百姓”的做法“大不相同。
3、不是所有技术都落后与发达国家，但是，总体上，高水平的“芯片核心技术”，我国远远落后与发达国家。例如，太阳能硅材料、光电池等，大陆的总产量、质量、连台湾也赶不上，CCTV曾多次评述过这些问题如视频节目：《我国光伏产业的尴尬》。
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