什么晶体管发射区的重掺杂效应？

什么晶体管发射区的重掺杂效应？

因为集电区的电阻率较高（为了满足较高击穿电压的需要），金属与这种高阻半导体接触时会形成整流的Schottky接触，不是Ohm接触；为了获得Ohm接触，所以要重掺杂（使得隧道效应破坏了Schottky接触的整流性能）。

这是BJT的发射区因为重掺杂所带来的一种不良现象。 　　（1）带隙变窄效应的产生机理： 　　因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg ，这就是带隙变窄效应。 　　（2）带隙变窄效应的影响： 　　这种由于重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度Ne的关系为（室温下）ΔEg = 22.5 (Ne/1018 )1/2 [meV] . 　　当重掺杂导致带隙变窄时，将相应地使得发射区中的本征载流子浓度由ni变成为nie = ni2 exp[ΔEg / kT] ；发射区中本征载流子浓度的增大，就将造成发射区的少子浓度peo也相应增加为peo = nie2 / Ne = ( ni2/ Ne ) exp[ΔEg / kT] 。于是，就使得发射结的注射效率降低。总之，发射区重掺杂可引起带隙变窄，从而导致BJT的放大性能下降。 　　（3）减弱BJT带隙变窄效应的技术——多晶硅发射极晶体管： 　　在发射极金属电极的表面上覆盖一薄层掺杂多晶硅，可使得本征硅发射区表面的少数载流子寿命提高，从而能够明显地减弱因为高掺杂所带来发射结注射效率降低的影响，提高电流放大系数以及工作频率。这种能够高频应用的晶体管称为多晶硅发射极晶体管。

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