为什么碳化硅IGBT一般不适合用于中低压（<3kV）的应用中？
答案:5 悬赏:20 手机版
解决时间 2021-02-05 19:46
- 提问者网友：萌卜娃娃
- 2021-02-05 10:41
为什么碳化硅IGBT一般不适合用于中低压（<3kV）的应用中？
最佳答案
- 五星知识达人网友：十年萤火照君眠
- 2021-02-05 11:31
1.由于碳化硅是宽禁带半导体，导致其制成的电力电子器件的PN结的结压降较高，所以在中低压场合，相对于硅半导体器件，其通态压降更高。
2.成本、工艺方面的原因，不赘述。。。
2.成本、工艺方面的原因，不赘述。。。
全部回答
- 1楼网友：时间的尘埃
- 2021-02-05 15:52
EEer到此一游……
- 2楼网友：第幾種人
- 2021-02-05 14:16
浙大V5
- 3楼网友：等灯
- 2021-02-05 13:16
兄弟 你是盛况老师班的吧==
- 4楼网友：上分大魔王
- 2021-02-05 12:09
你好！
一群浙大猥琐男
如果对你有帮助，望采纳。
我要举报
如以上回答内容为低俗、色情、不良、暴力、侵权、涉及违法等信息，可以点下面链接进行举报！
点此我要举报以上问答信息
大家都在看
推荐资讯