扩散理论和热电子发射理论的区别

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解决时间 2021-11-19 13:23

提问者网友：城市野鹿
2021-11-19 07:21

扩散理论和热电子发射理论的区别

最佳答案

五星知识达人网友：長槍戰八方
2021-11-19 08:15

以N型半导体为例（1）热电子发射理论：当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒宽度时，电子在势垒区的碰撞可以忽略，因此，这时起决定作用的是势垒高度。半导体内部的电子只要有足够的能量越过势垒的顶点，就可以自由地通过阻挡层进入金属。同样，金属中能超越势垒顶的电子也都能到达半导体内。理论计算可以得出，这时的总电流密度Jst与外加电压无关，是一个更强烈地依赖于温度的函数。（2）扩散理论：对于n型阻挡层，当势垒宽度比电子平均自由程大得多时，电子通过势垒区将发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。扩散理论正是适用于这样的厚阻挡层。此时，总电流密度JsD与外加电压有关。

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1楼网友：山君与见山
2021-11-19 09:14

我也在学习这块，以下是我的理解，欢迎交流指正:

扩散理论是指半导体中的载流子由于热运动从浓度高地方运动到能量低的地方。

热电子发射理论是指半导体中载流子由于热运动而从能量较低的地方翻越势垒进入能量较高的地方的运动。

2楼网友：舍身薄凉客
2021-11-19 09:08

一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体硅等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金属晶体的结构却十分松散.

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