在掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情况下的主要散射机构是什么？
答案:2 悬赏:10 手机版
解决时间 2021-02-12 08:38
- 提问者网友：鐵馬踏冰河
- 2021-02-12 05:01
在掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情况下的主要散射机构是什么？
最佳答案
- 五星知识达人网友：轻熟杀无赦
- 2021-02-12 06:13
答：1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；
2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；
3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射：τs∝T^(-3/2),
光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
希望可以帮到你o(∩_∩)o ，还有疑问可以追问或者百度hi我哦~
满意请采纳，谢谢！参考资料：半导体物理学 刘恩科等 西安交通大学出版社
2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；
3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射：τs∝T^(-3/2),
光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
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