我按照DATASHEET上的资料建了个PSPICE模型,在整个模型建立中,有以下两个参数设置不正确:其中有一个Qgc参数不知道,就采用了系统中默认的。还有一个问题是设置下降时间Tf时,DATASHEET上的资料是55nS,但软件必须设置为200nS,否则提取参数会不成功。当我成功提取参数后发现,该模型的耐压值不正确,我本来设计的是1200V,150A的管子,漏电流才几百微安,但我仿真该模型的静态参数发现,耐压值才800V,1200V时,漏电流为几百兆安,我找不出问题出现在哪里?请问是与Qgc及Tf的设置有关吗?
请高手帮忙解答!!感激不尽!!!!
pspice 中创建IGBT模型后,耐压不正确
答案:2 悬赏:0 手机版
解决时间 2021-12-28 00:40
- 提问者网友:萌卜娃娃
- 2021-12-27 17:10
最佳答案
- 五星知识达人网友:夜余生
- 2021-12-27 18:10
Pspice里面的原器件模型其实并不准确,缺少很多参数,建议你直接在安森美、仙童和irf这些公司的网站下面下载对应器件的最新模型文件。你下载完试试就知道了,模型文件往往比Pspice里面自带的大1倍。
全部回答
- 1楼网友:轻熟杀无赦
- 2021-12-27 18:31
你好!
官方网站下载相关模型或找厂商提供*.lib文件
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