两个固态硬盘会比单个固态硬盘速度慢嘛？
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解决时间 2021-01-26 15:58
- 提问者网友：寂寞撕碎了回忆
- 2021-01-26 10:48
两个固态硬盘会比单个固态硬盘速度慢嘛？
最佳答案
- 五星知识达人网友：神也偏爱
- 2021-01-26 11:15
结论：大容量固态硬盘价格比较高，相应的主控缓存配置会好一些，所以存取速度更快
首先解释下什么是固态硬盘
固态硬盘（SSD ：Solid State Disk）是在传统机械硬盘上衍生出来的概念，简单的说就是用固态电子存储芯片阵列（NAND Flash）而制成的硬盘。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致，包括3.5英寸、2.5英寸、1.8英寸等多种类型。
固态硬盘的性能构成
SSD由主控、闪存、缓存等三大核心部件组成，其中主控和闪存对性能影响较深，主控的作用最大。换而言之，性能高低不一的主控，是划分SSD档次的方法之一。SSD主控本质是一颗处理器，主要基于ARM架构，这和手机处理器有相似的一面。也有部分SSD厂家的主控采用RISC架构，使其具备CPU级别的运算能力。就目前来说，SSD主控芯片的运算能力由制造工艺、核心面积的大小（晶体管数量）、核心的数量、频率决定。核心工艺基本停留在55nm，个别在28nm；核心的数量从单核到最多四核。
当然SSD的性能同时受制于闪存。闪存（Flash Memory）是一种非易失性存储器，由于其断电时仍能保存数据。相对于主控的核心重要性，闪存在制造工艺相差不大的情况下，对性能影响有限。
同时闪存对SSD的使用寿命有着决定性影响。
闪存的三个类型：1、寿命最长，价格最贵的SLC；2、寿命和价格居中的MLC；3、寿命最短、价格最低的TLC闪存。
SLC闪存特点：
SLC即Single Level Cell的缩写，名为单层单存储单元。存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell能存放1bit数据（1bit/Cell），有点儿类似于开关电路，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响，因此性能非常稳定，同时SLC的最大的驱动电压可以做到很低。
1、理论上速度最快；2、P/E使用寿命长；3、单片存储密度小
目前SLC闪存主要应用于企业级产品、混合硬盘的缓存、高端高品质的优盘/数码播放介质等等。SLC固态硬盘的容量不如MLC固态硬盘，速度的优势遭遇人为限制，突出优点是P/E使用寿命超长。
MLC闪存特点：
MLC即Multi-Level Cell缩写，名为多层式存储。MLC在存储单元中实现多位存储能力，典型的是2bit。它通过不同级别的电压在一个单元中记录两组位信息（00、01、11、10），将SLC的存储密度理论提升一倍。由于电压更为频繁的变化，所以MLC闪存的使用寿命远不如SLC，同时它的读写速度不如SLC，由于一个浮动栅存储2个单元，MLC较之SLC需要更长的时间。
1、理论上的读写速度不如SLC；2、价格只有SLC的1/3甚至更低；3、使用寿命居中，3000-5000 P/E寿命。
MCL闪存广泛应用于消费级SSD以及轻应用的企业级SSD，这些领域的SSD数据吞吐量小，对P/E使用寿命要求没有SLC那么苛刻。因此MLC闪存没有严格的速度限制，性能表现超过SLC闪存。
TLC闪存特点：
TLC即Triple-Level Cell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。
1、理论上的存储密度最高；2、制造成本最低，其价格较之MLC闪存降低20-50%；3、P/E寿命可达1000-2000余次；5、理论上的读写速度最慢，随着制造工艺的提升、主控算法有大幅提升。
TLC闪存也如当年MLC闪存一样，在攻克P/E使用寿命的难关后，在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持TLC闪存的主控，并且已经进化到第三代，有效提高TLC SSD的性能，延长TLC SSD的P/E使用寿命。
首先解释下什么是固态硬盘
固态硬盘（SSD ：Solid State Disk）是在传统机械硬盘上衍生出来的概念，简单的说就是用固态电子存储芯片阵列（NAND Flash）而制成的硬盘。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致，包括3.5英寸、2.5英寸、1.8英寸等多种类型。
固态硬盘的性能构成
SSD由主控、闪存、缓存等三大核心部件组成，其中主控和闪存对性能影响较深，主控的作用最大。换而言之，性能高低不一的主控，是划分SSD档次的方法之一。SSD主控本质是一颗处理器，主要基于ARM架构，这和手机处理器有相似的一面。也有部分SSD厂家的主控采用RISC架构，使其具备CPU级别的运算能力。就目前来说，SSD主控芯片的运算能力由制造工艺、核心面积的大小（晶体管数量）、核心的数量、频率决定。核心工艺基本停留在55nm，个别在28nm；核心的数量从单核到最多四核。
当然SSD的性能同时受制于闪存。闪存（Flash Memory）是一种非易失性存储器，由于其断电时仍能保存数据。相对于主控的核心重要性，闪存在制造工艺相差不大的情况下，对性能影响有限。
同时闪存对SSD的使用寿命有着决定性影响。
闪存的三个类型：1、寿命最长，价格最贵的SLC；2、寿命和价格居中的MLC；3、寿命最短、价格最低的TLC闪存。
SLC闪存特点：
SLC即Single Level Cell的缩写，名为单层单存储单元。存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell能存放1bit数据（1bit/Cell），有点儿类似于开关电路，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响，因此性能非常稳定，同时SLC的最大的驱动电压可以做到很低。
1、理论上速度最快；2、P/E使用寿命长；3、单片存储密度小
目前SLC闪存主要应用于企业级产品、混合硬盘的缓存、高端高品质的优盘/数码播放介质等等。SLC固态硬盘的容量不如MLC固态硬盘，速度的优势遭遇人为限制，突出优点是P/E使用寿命超长。
MLC闪存特点：
MLC即Multi-Level Cell缩写，名为多层式存储。MLC在存储单元中实现多位存储能力，典型的是2bit。它通过不同级别的电压在一个单元中记录两组位信息（00、01、11、10），将SLC的存储密度理论提升一倍。由于电压更为频繁的变化，所以MLC闪存的使用寿命远不如SLC，同时它的读写速度不如SLC，由于一个浮动栅存储2个单元，MLC较之SLC需要更长的时间。
1、理论上的读写速度不如SLC；2、价格只有SLC的1/3甚至更低；3、使用寿命居中，3000-5000 P/E寿命。
MCL闪存广泛应用于消费级SSD以及轻应用的企业级SSD，这些领域的SSD数据吞吐量小，对P/E使用寿命要求没有SLC那么苛刻。因此MLC闪存没有严格的速度限制，性能表现超过SLC闪存。
TLC闪存特点：
TLC即Triple-Level Cell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。
1、理论上的存储密度最高；2、制造成本最低，其价格较之MLC闪存降低20-50%；3、P/E寿命可达1000-2000余次；5、理论上的读写速度最慢，随着制造工艺的提升、主控算法有大幅提升。
TLC闪存也如当年MLC闪存一样，在攻克P/E使用寿命的难关后，在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持TLC闪存的主控，并且已经进化到第三代，有效提高TLC SSD的性能，延长TLC SSD的P/E使用寿命。
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