如何测量半导体材料的光致发光谱

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解决时间 2021-02-27 20:21

提问者网友：难遇难求
2021-02-26 22:19

如何测量半导体材料的光致发光谱

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五星知识达人网友：低音帝王
2021-02-26 22:25

我目前只知道一种仪器，叫TXRF(Total Reflection X-ray Fluorescence)。

其原理是用X光激发原子层电子逃逸，导致外层电子跃迁释放出特征X射线，其可以被接收器（EDX）检测形成能量弥散X射线谱。

其他的不太清楚，X-ray Fluorescence的仪器用的都是这个原理。

还有一种光谱叫电子致发光谱，一般都是配合SEM得到的。

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1楼网友：低血压的长颈鹿
2021-02-26 23:14

由于间接带隙半导体材料（比如说si）的发光需要声子的参与，导致其发光较直接带隙（比如说zno）的来说弱很多。那么，做间接带隙材料的低温光致发光谱又有什么特殊的意义？低温下，声子的作用就被大大的削弱，于是，在低温下看到的发光谱就是同一k点（比如布里渊区中心）的复合发光嘛？如果是这样，在低温光致发光谱中反而体现不出间接带隙材料的带隙（因为导带底和价带顶不在同一k点）如有疑问，请追问~ 如果有帮助，请采纳，o(∩_∩)o谢谢~

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