在三极管中iaibic的关系
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解决时间 2021-03-31 14:24
- 提问者网友：情歌越听越心酸
- 2021-03-31 03:30
在三极管中iaibic的关系
最佳答案
- 五星知识达人网友：西岸风
- 2021-03-31 04:46
首先纠正，没有IA
NPN型三极管为例
IE=IC+IB
IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）
IC=βIB
电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化
IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。
发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴浓度很低，所以发射极的电子都能扩散到集电结附近。集电结反偏电子不能向基区扩散，但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC。
电流IB是影响IC大小的。
NPN型三极管为例
IE=IC+IB
IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）
IC=βIB
电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化
IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。
发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴浓度很低，所以发射极的电子都能扩散到集电结附近。集电结反偏电子不能向基区扩散，但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC。
电流IB是影响IC大小的。
全部回答
- 1楼网友：往事埋风中
- 2021-03-31 05:21
首先纠正，没有IA
NPN型三极管为例
IE=IC+IB
IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）
IC=βIB
电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化
IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。
发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴浓度很低，所以发射极的电子都能扩散到集电结附近。集电结反偏电子不能向基区扩散，但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC。
电流IB是影响IC大小的。
NPN型三极管为例
IE=IC+IB
IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）
IC=βIB
电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化
IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。
发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴浓度很低，所以发射极的电子都能扩散到集电结附近。集电结反偏电子不能向基区扩散，但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC。
电流IB是影响IC大小的。
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