增强型MOS管的在夹断点电压存在VP=VG-VTH的关系。对么

答案:2 悬赏:30 手机版

解决时间 2021-12-04 08:39

提问者网友：放下
2021-12-03 18:07

最佳答案

五星知识达人网友：神也偏爱
2021-12-03 19:21

这部分其实在模电书里面写得很清楚了，只是你要反复看书，这部分内容是需要悟出来的。
当UGS从0开始，逐步增大（UGS〉0）的时候，G极会积聚正电荷，而S与衬底B其实是连在一起的，也就是负极，这时候，衬底里面的空穴（带正电）会被G排斥，逐步远离G极，这样在衬底（P区）里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层。当UGS增大后，耗尽层会逐步加宽，同时，由于电场力的吸引，衬底P区中的自由电子开始向G极移动，由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层，因此自由电子并不能达到G极，而是积聚在耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型的薄层，也就是反型层（反型层与G极合起来看，类似一个平行板电容）。

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1楼网友：千杯敬自由
2021-12-03 20:58

百川东到海，何时复西归？

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