关于P型半导体的问题

书上有关半导体的描述让我感到很疑惑，P型半导体是向本征半导体（比如硅）中掺加三价元素，比如硼，然后硼代替硅原子，与其周围的硅原子形成共价键，但由于硼最外层只有3个电子，所以有一个共价键中缺少一个电子，即产生一个空位，当硅原子的外层电子填补空位时便会产生一个空穴，因此P型半导体中空穴数多于电子数，P型半导体主要靠空穴导电，掺加的硼越多，空穴浓度就越大，导电性就越强。这是书上大致说的意思，但是空穴其实是靠电子的填充来消失或者是产生，即空穴移动只是便于理解的一种说法，那么假设在1立方厘米的p型半导体中有3个空穴，2个电子，当有外加电场时，两个电子会移动从而填补3个空穴当中的两个，电子离开的位置产生新的两个空穴，这是可看做是两个空穴移动产生了空穴电流，如果这个半导体中有5个空穴，2个电子，当有外加电场时，两个电子会移动从而填补5个空穴当中的两个，电子离开的位置产生新的两个空穴。依然是两个空穴移动产生了空穴电流，前后如果所加的电场是一样的，那么空穴移动速度是一样的，移动个数也是一样的，产生的电流就应该是一样的，但后者空穴浓度大，应该导电性更强一些呀

你可以这么理解，假设半导体中位于共价键的电子是不能移动的，而P型半导体由于3价硼的掺入多了一个空穴，这个半导体要导电，只能由外来电子经过共价键上的空穴流动来实现，如果空穴越多，流过电子的能力就越强，自然导电性更强。
而你不理解的地方在于，即使空穴多了，如果电子还是2个，导电能力逻辑上似乎没法变强是吧。其实这种理解是错误的。你要这么理解，你将3价硼掺杂到4价硅中，一个3价硼只能产生一个空穴，但是要自带3个电子，同样的，4价硅提供了7个电子，这些电子在外加电场的作用下都会用来填充空穴，形成空穴电流。所以你那1立方厘米里2个电子3个空穴的假设是不成立的。

是你的假设问题，在同一个P型硅片中，3个空穴与5个空穴相比，空穴的浓度是不一样的，所以导电性也不一样。或者说，5个空穴允许电子流过的能力，要比3个空穴强一些。

你的想法中忽略了一个重要的问题，当我们测试一块半导体的导电能力时（电阻），一般要将其与外电路相连接，而外电路能够源源不断的提供电子，当一块半导体的p型掺杂浓度较高时，用你的上文中的方式理解，半导体中能流过的电子也就相应的增加了。所以p型掺杂浓度越高导电能力就越强。

p型半导体多子时空穴，正确，是受主。 p型聚合物，是有机半导体的东西吗？ 如果是有机半导体，则不能说是施主，应该说是施体，有机半导体的概念与无机是不同的，有机中载流子的浓度很低，迁移率也很低，对于p型，就是说分子容易给出，或者丢掉一个电子，成为自由基阳离子，带正电，沿用了半导体空穴的概念，电荷传输时，是临近位电子过来把她复合掉，儿过来的电子的位置，也就是那个分子丢掉了电子，成为自由基阳离子，这样相当于正离子的传输，也就是所谓空穴的传输。

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