mocvd 工艺气体 是否有毒

mocvd 工艺气体 是否有毒

MOCVD设备Ⅱ或Ⅲ族金属机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素氢化物相混合通入反应腔混合气体流经加热衬底表面衬底表面发热解反应并外延化合物单晶薄膜与其外延技术相比MOCVD技术着优点：
（1）用于化合物半导体材料各组掺杂剂都气态式通入反应室通精确控制气态源流量通断间控制外延层组、掺杂浓度、厚度等用于薄层超薄层材料

（2）反应室气体流速较快需要改变元化合物组掺杂浓度迅速进行改变减记忆效应发能性利于获陡峭界面适于进行异质结构超晶格、量阱材料

（3）晶体热解化反应式进行单温区外延要控制反应源气流温度布均匀性保证外延材料均匀性适于片片外延便于工业化批量产

（4）通情况晶体速率与Ⅲ族源流量比速率调节范围较广较快速率适用于批量

（5）使用较灵原则要能够选择合适原材料进行包含该元素材料MOCVD供选择作反应源金属机化合物种类较性质定差别

（6）由于真空度要求较低反应室结构较简单

（7）随着检测技术发展MOCVD程进行位监测

实际于MOCVDMBE技术说采用所制备外延结构器件性能没差别MOCVD技术吸引入于通用性要能够选取合适金属机源进行外延且要保证气流温度均匀布获面积均匀材料适合进行规模工业化产

MOCVD技术主要缺点部均与其所采用反应源关首先所采用金属机化合物氢化物源价格较昂贵其由于部源易燃易爆或者毒定危险性并且反应产物需要进行害化处理避免造环境污染另外由于所采用源包含其元素（CH等）需要反应程进行仔细控制避免引入非故意掺杂杂质

通MOCVD程描述：精确控制流量反应源材料载气（通H2系统采用N2）携带通入石英或者锈钢反应室衬底发表面反应外延层衬底放置加热基座反应残留尾气扫反应室通除微粒毒性尾气处理装置排系统MOCVD工作原理图所示

图 MOCVD工作流程图

台MOCVD设备简要4部

（1）气体操作系统：

气体操作系统包括控制Ⅲ族金属机源V族氢化物源气流及其混合物所采用所阀门、泵及各种设备管路其重要通入反应室进行反应原材料量进行精确控制部主要包括流量进行控制质量流量控制计（MFC）压力进行控制压力控制器（PC）金属机源实现温度控制水浴恒温槽（Thor·mal Bath）

（2）反应室：

反应室MOCVD系统核组部反应室设计效至关重要影响同MOCVD设备产厂家反应室设计所同终目相同即避免反应室现离壁射流湍流存保证存层流实现反应室内气流温度均匀布利于面积均匀

（3）加热系统：

MOCVD系统衬底加热式主要三种：射频加热红外辐射加热电阻加热射频加热式石墨基座射频线圈通诱导耦合加热种加热形式型反应室经采用通系统于复杂避免系统复杂性稍反应室通采用红外辐射加热式卤钨灯产热能转化红外辐射能石墨基座吸收种辐射能并其转化热能电阻加热式热能由通金属基座电流流提供

（4）尾气处理系统：

由于MOCVD系统所采用数源均易燃易爆雨其氢化物源剧毒必须反应尾气进行处理通采用处理式尾气先通微粒滤器除其微粒（P等）再其通入气体洗涤器（Scrubber）采用解毒溶液进行解毒另外种解毒式采用燃烧室燃烧室包括高温炉900～1 000℃尾气物质进行热解氧化实现害化反应产物淀积石英管内壁容易除

也许是的。

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