请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与

请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与

解：（1）Ga原子是31号元素，根据构造原理写出Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；（2）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，故答案为：4；正四面体；（3）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，故答案为：原子；（4）碳原子可以形成4个碳碳单键，所以每个As应与4个Ga相连，金刚石中含有的化学键是共价键，所以该物质中含有的化学键是极性键，单键为σ键，又因为砷原子还有1对孤对电子，而镓原子有容纳孤对电子的空轨道，所以还可以构成配位键，故答案为：BEG；（5）晶胞中Ga位于体内，数目为4，As原子位于顶点和面心，数目为8×18+6×12=4，则晶胞质量为4×(70+75)g/mol6.02×1023mol?1，晶胞体积为（564×10-10cm）33，则密度为4×(70+75)6.02×1023×(564×10?10)3=5.37g/cm3；a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为晶体体对角线的14，则距离为14×3×564×10-10cm=1413，故答案为：5.37；1413．

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