我在犹豫对于前者是：约等于P型扩散区电容还是约等于N型扩散区电容？
对于后者是：约等于P型扩散区电容还是约等于N型扩散区电容？
对于N型中掺杂P-N结，其正向P-N的扩散电容如何表示？对于P型中掺杂的呢？
答案:1 悬赏:80 手机版
解决时间 2021-07-18 09:40
- 提问者网友：美人性情
- 2021-07-17 13:18
最佳答案
- 五星知识达人网友：末日狂欢
- 2021-07-17 14:30
和掺杂浓度有关。不过一般在Ｎ型衬底上做Ｐ+掺杂，在Ｐ型衬底上做Ｎ+掺杂。
因此，扩散电容一般可认为约等于低掺杂一端的非平衡少子积累形成的电容。即
前者是：约等于Ｎ型扩散区电容
后者是：约等于Ｐ型扩散区电容
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