GD32系列兼容STM32一系列，国产新片来了，原子怎么看

GD32系列兼容STM32一系列，国产新片来了，原子怎么看

基本上只需少量调整就可以通用。GD32和STM32基本上各方面都是异曲同工的。
优点：
内核是Cortex-M3的升级版，兼容Cortex-M3，实现了Flash的零等待技术，没有了提取指令的时间，代码执行效率更高了。通俗的说就是代码执行速度变快了。
同样的XX32F103系列芯片，主频上，ST的最高72MHz，GD的能达到108MHz，代码执行速度会更快。
Flash和RAM的容量更大，STM32F103xx系列的Flash最大512K，SRAM最大64K，而GD32的Flash高达1M（甚至还有更高，但我没用过），SRAM更大96K，能存放更多的代码（也能当普通Flash存放数据用），有更多的SRAM存放大块的数据。

缺点：
代码下和在线调试感觉不是很顺畅，在IAR开发环境下用20pin的Jlink进行代码调试偶尔出现无法调试，但多试几次可能就会好了。
SWD调试的效果很差，主要原因在于硬件上的抗干扰的原因，同样的电路板，STM32的在线调试很顺畅，但GD32的经常性的出现干扰而导致代码无法烧入或在调试过程中发生中断。
Flash执行速度问题，前256K的代码执行速度正常，256K后面的代码响应中断速度会很慢，所以做开发的时候中断函数最好要放在前256K的地址中。

首先郑重声明，下面针对GD相比ST的优缺点是在2014年年末我个人使用后的结果比较，并不是最新的结果。
相比意法半导体的STM32，实话实说，先说优点：
1、内核是Cortex-M3的升级版，兼容Cortex-M3，实现了Flash的零等待技术，没有了提取指令的时间，代码执行效率更高了。通俗的说就是代码执行速度变快了。
2、同样的XX32F103系列芯片，主频上，ST的最高72MHz，GD的能达到108MHz，代码执行速度会更快。
3、Flash和RAM的容量更大，STM32F103xx系列的Flash最大512K，SRAM最大64K，而GD32的Flash高达1M（甚至还有更高，但我没用过），SRAM更大96K，能存放更多的代码（也能当普通Flash存放数据用），有更多的SRAM存放大块的数据。
然后我们再来说说缺点：
1、代码下和在线调试感觉不是很顺畅，在IAR开发环境下用20pin的Jlink进行代码调试偶尔出现无法调试，但多试几次可能就会好了。
2、SWD调试的效果很差，主要原因在于硬件上的抗干扰的原因，同样的电路板，STM32的在线调试很顺畅，但GD32的经常性的出现干扰而导致代码无法烧入或在调试过程中发生中断。
3、Flash执行速度问题，前256K的代码执行速度正常，256K后面的代码响应中断速度会很慢，所以做开发的时候中断函数最好要放在前256K的地址中。
另外，在芯片的外设问题上，只能是谁用谁知道，我用过I2C，感觉和ST并不是完完全全兼容，还是有一点点的差别。
最后我希望GD能越做越好，希望很快国产的能占领市场，国外的这些玩意在国外卖得很便宜，但在国内就卖得很贵，因为我们之前没有可以替代的东西，而现在有了就是个很好的趋势。

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