FGL40N120AND是IGBT还是场效应管

答案:1 悬赏:80 手机版

解决时间 2021-11-19 03:14

提问者网友：相思似海深
2021-11-18 10:30

最佳答案

五星知识达人网友：西风乍起
2021-11-18 12:01

FGL四0N依贰0ANDTU 是Fairchild的IGBT 四0A 依贰00V 不是场效应管能替代的. 我这边FGL四0N依贰0 在清货哦~！场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar junction transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早追问谁能告诉我FGL40N120AND是IGBT还是场效应管？不要百度复制的

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