磁阻传感器使用方法

磁阻传感器使用方法

磁阻传感器是磁通量改变会造成元件电阻变化。磁阻传感器能制作在硅片上，并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求，各方面的性能明显优于霍尔器件。
　　霍尔效应：把通有电流i的导体放在垂直于它的磁场中，则在导体的两侧p1、p2会产生一电势差uh，它与电流i及磁感应强度b成正比，与导体厚度d成反比。

　　磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。

　　霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

磁阻元件类似霍尔元件，但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。 霍耳传感器的工作原理是基于霍耳效应，一般用它可以直接测量霍耳电势差的大小，测出磁场强度，也可用以判别磁感应强度方向。 磁阻传感器是利用置于磁场中的合金带自身的阻值发生变化来测量磁场的大小和方向。与大多数固态传感器一样，磁阻传感器的工作电路是以非平衡电桥形式输出，它直接将磁阻变化转换成电压输出。

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