saber仿真时出现no active design 的提出语出现，是什么原因

saber仿真时出现no active design 的提出语出现，是什么原因

Saber下IGBT的通用模型主要有以下几个: 1.IGBT,No buffer Layer,Transistor 这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性. 2.IGBT Data Sheet Driven,Transistor 这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态特性,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流. 3.IGBT Data Sheet Driven,Static thermal 这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流. 4.Data Sheet Driven,Dynamic thermal 这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的动态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流. 5.IGBT Buffer Self-Heat,Transistor 这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层自加热模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性. 6.IGBT Buffer Layer,Transistor 这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性. 7.Self-Heat,Transistor 这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性. 每个模型所需参数要求不一，具体参数怎么设定可参照saber中对应IGBT说明，右键-view template。

可以私聊我~

如以上回答内容为低俗、色情、不良、暴力、侵权、涉及违法等信息，可以点下面链接进行举报！

点此我要举报以上问答信息