光磁电效应的概念 越详细越好

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光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。其机制是：光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横向电场。当作用在载流子上的洛仑兹力与横向电场的电场力平衡时，两端面的电位差保持不变。虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。霍尔效应中载流子的定向运动是由外电场引起的，而光磁电效应是由外磁场引起的，且两类效应的载流子运动方向相反，但形成的电流方向却相同。利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。

磁电效应 磁电效应 jump to: navigation, search 磁电效应 magnetoelectric effect 包括电流磁效应和狭义的磁电效应。电流磁效应是指磁场对通有电流的物体引起的电效应，如磁阻效应和霍耳效应；狭义的磁电效应是指物体由电场作用产生的磁化效应或由磁场作用产生的电极化效应如电致磁电效应或磁致磁电效应。 狭义的磁电效应 在一些磁性物质内，可能产生与外加电场e成正比的磁化强度m或与外加磁场h成正比的电极化强度p,这种现象统称作磁电效应。前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。 当同时外加电场e和磁场h时, 物体的磁化强度m、极化强度p和e、h二者有关 , (4a) , (4b) 其中ⅹm、ⅹe分别为材料的磁化率和电极化率,αme和αem则分别为材料的磁致磁电化率和电致磁电化率。其中ⅹm、ⅹe、αme、αem通常都是张量。 л.д.朗道和e.м.栗弗席兹根据热力学和对称性理论预言，在自旋有序的磁性物质内，可能存在磁电效应。1960年 д. h.阿斯特罗夫最先在实验中观察到反铁磁体cr2o3单晶的电致磁电效应。1961年g.t.拉多和v.j.福伦又观察到cr2o3单晶的磁致磁电效应。图2给出cr2o3单晶的电致磁电化率随温度变化的实验数据与理论计算结果的比较。当温度升高到磁有序温度以上时，cr2o3晶体由反铁磁性转变为顺磁性后,磁电效应随之消失。其中(αem)〃和(αme)寑指外加电场平行和垂直于cr2o3的三角晶轴时的电致磁电化率。 在cr2o3晶体中观察到磁电效应之后,人们又在很多具有一定晶体对称性的反铁磁物质内观察到磁电效应。

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