什么是三极管的电流放大作用?
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解决时间 2021-03-23 08:40
- 提问者网友:情歌越听越心酸
- 2021-03-22 11:23
什么是三极管的电流放大作用?
最佳答案
- 五星知识达人网友:骨子里都是戏
- 2021-03-22 12:56
三极管的基区同时存在两个过程:自由电子向集电结扩散的过程和自由电子与基区空穴复合的过程。其电流放大能力取决于扩散与复合的比例,扩散运动愈是超过复合运动,就有更多的自由电子扩散到集电结,电流放大作用也就愈强。当管子内部的复合与扩散比例确定后,基极电流Ib和集电极电流Ic的比例即确定,Ib增大或减少多少倍,Ic也随之增大或减少多少倍。因为Ib远远小于Ic,故Ib有微小的变化即会引起Ic极大的变化,实现以小电流控制大电流,这就是电流放大作用。
全部回答
- 1楼网友:山有枢
- 2021-03-22 13:46
①三极管电流放大作用的条件是:发射结正偏,集电结反偏。
②三极管电流放大的实质是:基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用,表明晶体管是一种电流控制器件,具有电流放大作用。
三极管的电流放大作用
1、三极管内部PN结的结构
对模拟信号进行处理最基本的形式是放大。在生产实践和科学实验中,从传感器获得的模拟信号通常都很微弱,只有经过放大后才能进一步处理,或者使之具有足够的能量来驱动执行机构,完成特定的工作。放大电路的核心器件是三极管,三极管的电流放大作用与三极管内部PN的特殊结构有关。
从图5-1和5-2可见,三极管犹如两个反向串联的PN结,如果孤立地看待这两个反向串联的PN结,或将两个普通二极管串联起来组成三极管,是不可能具有电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管,PN结内部结构的特殊性是:
(1)为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。
(2)发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便于收集电子。
(3)联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。
上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。要使三极管具有电流的放大作用,除了三极管的内因外,还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置,集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件
2、共发射极电路三极管内部载流子的运动情况
希望能采纳,谢谢
②三极管电流放大的实质是:基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用,表明晶体管是一种电流控制器件,具有电流放大作用。
三极管的电流放大作用
1、三极管内部PN结的结构
对模拟信号进行处理最基本的形式是放大。在生产实践和科学实验中,从传感器获得的模拟信号通常都很微弱,只有经过放大后才能进一步处理,或者使之具有足够的能量来驱动执行机构,完成特定的工作。放大电路的核心器件是三极管,三极管的电流放大作用与三极管内部PN的特殊结构有关。
从图5-1和5-2可见,三极管犹如两个反向串联的PN结,如果孤立地看待这两个反向串联的PN结,或将两个普通二极管串联起来组成三极管,是不可能具有电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管,PN结内部结构的特殊性是:
(1)为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。
(2)发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便于收集电子。
(3)联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。
上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。要使三极管具有电流的放大作用,除了三极管的内因外,还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置,集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件
2、共发射极电路三极管内部载流子的运动情况
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