是一个关于51单片机接连多个DS18B20的问题，程序仿真图都已经编写好了，但是就是仿真不出来

仿真时设定的LED灯根本不亮，希望哪位大神帮我看一下，详情+我Q：704354357
我把搭好的东西给你

以P3.4为接收端口为例

#include //用AT89C51时就用这个头文件
//#include //用华邦W78E58B时必须用这个头文件
sbit DQ = P3^4; //定义DQ引脚为P3.4


void delay_18B20(unsigned int i)
{
while(i--);
}



void Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(20);
}



unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat>>=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat|=0x80;
delay_18B20(4);
}
return(dat);
}



void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
delay_18B20(5);
DQ = 1;
dat>>=1;
}
}



unsigned char *ReadTemperature(char TH,char TL,unsigned char RS)
{ unsigned char tt[2];
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x4E); // //写入"写暂存器"命令,修改TH和TL和分辩率配置寄存器
//先写TH,再写TL,最后写配置寄存器
WriteOneChar(TH); //写入想设定的温度报警上限
WriteOneChar(TL); //写入想设定的温度报警下限
WriteOneChar(RS); //写配置寄存器,格式为0 R1 R0 1,1 1 1 1
//R1R0=00分辨率娄9位,R1R0=11分辨率为12位

delay_18B20(80); // this message is wery important
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换

delay_18B20(80); // this message is wery important
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度
delay_18B20(80);

tt[0]=ReadOneChar(); //读取温度值低位
tt[1]=ReadOneChar(); //读取温度值高位
return(tt);
}

你的程序写的对吗？仿真有时候跟实际的不一样？你有实际的板子的话最好拿着试试！

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