plasma etch 和rie有什么不同

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解决时间 2021-03-08 23:06

提问者网友：山高云阔
2021-03-08 18:00

最佳答案

五星知识达人网友：污到你湿
2021-03-08 18:37

plasma etch
电浆蚀刻；等离子刻蚀；等离子体蚀刻
双语例句
1. Inductively coupled plasma was first used to dry etch of InSb thin film.
应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.

网络释义
plasma etch
1. 电浆蚀刻
2. 等离子刻蚀
3. 等离子体蚀刻

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1楼网友：舍身薄凉客
2021-03-08 19:18

我不是做封装的，不过我经常用rie（reactive ion etch）原理就是用各种气体的plasma来对半导体芯片进行蚀刻不同气体的plasma的作用是不一样的~你说的除去异物的那种，我估计应该是氧气（o2）或者氩气（ar）吧？激活表面这个说法我还真没有听说过。。个人觉得不会。。1是觉得没有必要，2是因为没有mask的话，直接上plasma进行对芯片本体的结构处理是很危险的。。有可能会损坏原有的构造，导致芯片损毁

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