太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理？

太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理？

太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：
半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。

半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,由于正负电荷的相互吸引，在P区和N区的交界面附近形成一个空间电荷区，并产生一个称为势垒电场的内建电场，其方向从带正电荷的N区指向带负电荷的P区， 这就是PN结。

首先，太阳能电池片生产中所用的原材料硅片有两种，一种是P型，一种是N型，一般N型多一点，那么掺杂也就有2中了，一种是掺錋，一种掺磷。掺杂很复杂，主要目的就是形成P-N结（产生少子与空穴）少子不断与空穴交替变更，少子不断湮灭而产生电流。

我明白你的意思了。现在工业生产太阳能电池片的硅片，都是P型衬底，意思是之前已经掺杂三族元素了，我们只需要进行磷扩散，就可以形成P-N结。
以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。

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