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三极管震荡电路原理

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解决时间 2021-02-02 04:10
  • 提问者网友:姑娘长的好罪过
  • 2021-02-01 15:46
三极管震荡电路原理
最佳答案
  • 五星知识达人网友:长青诗
  • 2021-02-01 16:13
单管LC自激振荡电路!R1,R2,R3构成BG1的静态工作点!L,C1是谐振回路!C2是正反馈电容!C3是信号输出!接通电源的瞬间LC回路里会产生充放电的衰减振荡电流信号!这信号通过C2在R2上形成反馈送达BG1的输入端!这信号被放大后送回LC回路以弥补被衰减的信号!这个振荡就能维持不断了!这就是自激振荡的原理!其中C2的大小很重要!太小不起振!太大电路阻塞!
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  • 1楼网友:冷風如刀
  • 2021-02-01 19:02
三极管震荡电路原理:   假设流经r2的电流比r1的大,经过q2的b放大则致使流d1和r3,同时使q2的集电 极电位下降,那么c1的两端电位出现了电位差,由于电容的两端电压,不允许突变,则致使q1的基极电位下降,使q1的集电极电压上升,经c2使q2的基极 电位升高,使q3的集——射电流更大,形成正反馈,此过程就将将均处于放大状态的q1,q2,分别向截止和饱和状态过度。当q2饱和时,集电极电压稳定不 变,且电流也不受控于基极,那么,电源会经r1向c1充电,使q1的基极电位上升,造成集电极电位下降,同理c2两端电位也不可以瞬间变化。则致使q2的 基极电位下降,使q2的集电极电位上升,经过c1必将会使q1电位上升,形成正反馈。使q1q2分别处于截止、饱和状态向饱和、截止过度。就这样两个三极 管交替的饱和截止,则使d1d2交替闪烁,形成振荡。
  • 2楼网友:躲不过心动
  • 2021-02-01 17:25
晶体三极管又称双极型三极管,它是利用是有电子和空穴两种载流子的运动而工作的,简称三极管。三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量,但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流控制大电流放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 三极管内部结构 半导体二极管内部只有一个pn结,若在半导体二极管p型半导体的旁边,再加上一块n型半导体如图5-1(a)所示。由图5-1(a)可见,这种结构的器件内部有两个pn结,且n型半导体和p型半导体交错排列形成三个区,分别称为发射区,基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极,基极和集电极,用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的pn结称为发射结;处在基区和集电区交界处的pn结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。 三极管通常也称双极型晶体管(bjt),简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母t来表示。因三极管内部的两个pn结互相影响,使三极管呈现出单个pn结所没有的电流放大的功能,开拓了pn结应用的新领域,促进了电子技术的发展。 因图5-1(a)所示三极管的三个区分别由npn型半导体材料组成,所以,这种结构的三极管称为npn型三极管,图5-1(b)是npn型三极管的符号,符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。 根据同样的原理,也可以组成pnp型三极管,图5-2(a)、(b)分别为pnp型三极管的内部结构和符号。 由图5-1和图5-2可见,两种类型三极管符号的差别仅在发射结箭头的方向上,理解箭头的指向是代表发射结处在正向偏置时电流的流向,有利于记忆npn和pnp型三极管的符号,同时还可根据箭头的方向来判别三极管的类型。 例如,当大家看到“ ”符号时,因为该符号的箭头是由基极指向发射极的,说明当发射结处在正向偏置时,电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知,当pn结处在正向偏置时,电流是由p型半导体流向n型半导体,由此可得,该三极管的基区是p型半导体,其它的两个区都是n型半导体,所以该三极管为npn型三极管。 参考资料:三极管的结构 三极管的几种常见外形,其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历。 通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。NPN(一般为硅管)和PNP (一般为锗管) 上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区,另外两层同为N型或P型,其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区,另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起放大作用的内部条件。 三个区各自引出三个电极,分别为基极(b) 、发射极(e)和集电极(c)。 三层结构可以形成两个PN结,分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结,因此当然可以用作开关元件,但同时三极管还是一个放大元件,正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。2 三极管的电流放大作用 直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路满足放大的外部条件:发射结正向偏置,集电极反向偏置。改变可调电阻Rb,基极电流IB,集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化,由测量结果可以得出以下结论: (1) IE = IB + IC ( 符合克希荷夫电流定理) (2) IC ≈ IB ×? ( ?称为电流放大系数,可表征三极管的电流放大能力) (3)△ IC ≈ △ IB ×? 由上可见,三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。
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