关于三极管的掺杂度

关于三极管的掺杂度

在硅三极管的制作工艺中有掺杂磷和硼的过程。通常是N型硅片本底是集电区，在特定区域掺入硼，这里形成了一个P型区，作为基区。在基区上的特定区域掺入磷，浓度大大高于掺入硼的浓度（约2个数量级）形成另一个N区，作为发射区。这样一个NPN 的结构就形成了。接上外引线，并封装，这就是一个NPN的三极管。
三极管中有两个PN结，不能说pn结很薄，通常只能说基区薄与厚，基区是夹在两个PN结之间的部分。如果掺入磷时，磷的浓度高些，温度高些，时间长些都会使基区薄，这样放大倍数会比较大。
不知道我这样说，能否说清楚。老实讲，这个问题不是容易说明白的。我只是试着回答而已。追问先说一个定义：pn结是在p和n交界两侧形成的一个由不能移动的正负离子组成的空间电荷区（也可以叫耗尽层）。
我再对自己的问题表述一下：掺杂度的高低会影响到电子和空穴的浓度，所以会影响到空间电荷区的大小（其实也就是厚薄，这点我不同意您讲的pn结不宜用厚薄来形容），这样的话能否理解为：发射（或者集电）区高掺杂会必然说明pn结很薄？
希望您赐教。追答你这样说是对的。习惯上在半导体物理上说势垒区（也可以叫耗尽层）宽度，较少说pn结厚与薄。当然这是习惯叫法上的差别。追问老师，您能回答一下我在上个追问中提的那个问题吗？我在网上查的一些资料的表述是有那么一个意思的，但我不确定，想弄明白这点。谢谢哈追答我试着回答一下吧：势垒区的形成是由于载流子（电子或空穴）浓度差引起的扩散，而载流子的扩散又形成了阻止扩散的电场。这二者的平衡就是势垒区宽度的决定因素。发射区高掺杂，势必在N区这边的势垒区宽度比较小，但是在P区会比较宽。

这个主要是取决于三极管的工作原理，三极管的工作原理是发射极电子穿过基极，三极管之所以可以放大原因就在于掺杂度的不同，不同的浓度间接表示了不同的

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