多晶硅生产工艺流程如下：（1）粗硅粉碎的目的是______．分离SiHCl3（l）和SiCl4（l）的方法为______．（2）900℃以上，H2与SiHCl3发生如

多晶硅生产工艺流程如下：

（1）粗硅粉碎的目的是______．分离SiHCl3（l）和SiCl4（l）的方法为______．
（2）900℃以上，H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K=______．为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有______．
（3）该流程中可以循环使用的物质是______．
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为______．

解：（1）固体表面积越大，化学反应速率越快，粗硅粉碎的目的是增大接触面积，加快反应速率，充分反应；SiHCl3（l）和SiCl4（l）是互溶的液体，采用蒸馏的方法分离；
故

我明天再问问老师，叫他解释下这个问题

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