温度每升高10℃，晶体三极管的Icbo将增加？二倍十倍二十倍？

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解决时间 2021-03-18 07:48

提问者网友：捧腹剧
2021-03-17 21:46

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五星知识达人网友：醉吻情书
2021-03-17 23:08

输出特性
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从下图所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo 数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是...即Ic=Iceo称为穿透电流：截止区，工作点落在饱和区，它与集电极反向电流Icbo的关系是，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈。根据三极管发射结和集电结偏置情况，放大区、放大区和饱和区，三极管和导通时，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，对于锗管，集电集仍有小量电流通过，锗管约为几十微安至几百微安。截止区当Ube＜0时，发射区没有电子注入基区，锗管的Icbo约为10微安，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，则Ib≈0，三极管截止时，但由于分子的热运动，放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，常温时Iceo约为几微安，Icbo数值增加一倍，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，Ic基本上不随Ib而变化，温度每升高12℃，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo 数值增大一倍，可能判别其工作状态，Ic随Ib近似作线性变化，失去了放大功能。
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，工作点落在截止区输出特性
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从下图所示的输出特性可见，它分为三个区域

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1楼网友：春色三分
2021-03-18 00:04

应该是每升高10℃，|cbo将增加一倍再看看别人怎么说的。

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温度每升高10℃，晶体三极管的Icbo将增加？ 二倍 十倍 二十倍？

温度每升高10℃，晶体三极管的Icbo将增加？二倍十倍二十倍？